SPP06N60C3XKSA1概述
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP06N60C3XKSA1, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
SPP06N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
立创商城:
SPP06N60C3XKSA1
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP06N60C3XKSA1, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 6.2A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
SPP06N60C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 750 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 74 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 6.2A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 74 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SPP06N60C3XKSA1
型号： SPP06N60C3XKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP06N60C3XKSA1, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装