STB95N3LLH6参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB95N3LLH6概述

N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

N 通道 MOSFET，已停产

得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

欧时:
STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STB95N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

STB95N3LLH6中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.0037 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 91 ns

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

下降时间 23.4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB95N3LLH6

型号： STB95N3LLH6

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N 通道 MOSFET，已停产 ### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

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