SPP12N50C3XKSA1概述
TO-220AB N-CH 500V 11.6A
Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• Ultra low effective capacitances
• Improved transconductance
• PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package 2500 VAC; 1 minute
得捷:
LOW POWER_LEGACY
贸泽:
MOSFET N-Ch 560V 11.6A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11.6A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Win Source:
LOW POWER_LEGACY
SPP12N50C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 11.6A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SPP12N50C3XKSA1