SPB12N50C3ATMA1

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SPB12N50C3ATMA1概述

INFINEON  SPB12N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

SPB12N50C3, SP000014894


得捷:
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO263-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


SPB12N50C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-CH

耗散功率 125 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 560 V

连续漏极电流Ids 11.6A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: SPB12N50C3ATMA1
描述:INFINEON  SPB12N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 11.6 A, 560 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V
替代型号SPB12N50C3ATMA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SPB12N50C3ATMA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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