SMB8J30CA-E3/5B参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMB8J30CA-E3/5B概述

Diode TVS Single Bi-Dir 30V 800W 2Pin SMB T/R

48.4V Clamp 16.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMB

得捷:
TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 800W 30V 5% Bidir

艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 800W 2-Pin SMB T/R

安富利:
Diode TVS Single Bi-Dir 30V 800W 2-Pin SMB T/R

SMB8J30CA-E3/5B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 30 V

击穿电压 33.3 V

耗散功率 800 W

钳位电压 48.4 V

脉冲峰值功率 800 W

最小反向击穿电压 33.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMB8J30CA-E3/5B

型号： SMB8J30CA-E3/5B

描述：Diode TVS Single Bi-Dir 30V 800W 2Pin SMB T/R

替代型号SMB8J30CA-E3/5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMB8J30CA-E3/5B Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMB8J30CAHE3/52 威世	完全替代	SMB8J30CA-E3/5B和SMB8J30CAHE3/52的区别
SMB8J30CA-M3/52 威世	完全替代	SMB8J30CA-E3/5B和SMB8J30CA-M3/52的区别
SMB8J30C-E3/5B 威世	类似代替	SMB8J30CA-E3/5B和SMB8J30C-E3/5B的区别