INFINEON SPA11N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N80C3XKSA1, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Newark:
# INFINEON SPA11N80C3XKSA1 Power MOSFET, N Channel, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
11A, 800V, 0.45 Ohm, N-channel, Si, Power, Mosfet, TO-220AB
额定电压DC 800 V
额定电流 11.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.39 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 41 W
阈值电压 3 V
输入电容 1600 pF
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 15 ns
正向电压Max 1.2 V
输入电容Ciss 1600pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 41 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 9.83 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting, 照明, Alternative Energy, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 替代能源, 消费电子产品, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPA11N80C3XKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STF11NM80 意法半导体 | 功能相似 | SPA11N80C3XKSA1和STF11NM80的区别 |