SMBJ110A-E3/5B参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ110A-E3/5B概述

Diode TVS Single Uni-Dir 110V 600W 2Pin SMB T/R

177V Clamp 3.4A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 110V 177V DO214AA

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 110V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ110A-E3/5B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 135 V

钳位电压 177 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 122 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

宽度 3.94 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBJ110A-E3/5B

型号： SMBJ110A-E3/5B

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 110V 600W 2Pin SMB T/R

替代型号SMBJ110A-E3/5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMBJ110A-E3/5B Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMBJ110A-E3/52 威世	完全替代	SMBJ110A-E3/5B和SMBJ110A-E3/52的区别
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