Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
立创商城:
N沟道 650V 11A
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI11N65C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.36 mm
宽度 4.52 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPI11N65C3XKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPI11N65C3HKSA1 英飞凌 | 功能相似 | SPI11N65C3XKSA1和SPI11N65C3HKSA1的区别 |