SPI100N03S2L-03参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SPI100N03S2L-03概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

通孔 N 通道 30 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 30V 100A TO262-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin3+Tab TO-262

SPI100N03S2L-03中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 8180pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SPI100N03S2L-03

型号： SPI100N03S2L-03

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor