SGB15N60HSATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SGB15N60HSATMA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3Pin2+Tab TO-263

IGBT NPT 600 V 27 A 138 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2

得捷:
SGB15N60HS - HIGH SPEED IGBT IN

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3-Pin2+Tab TO-263

SGB15N60HSATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 138000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 138 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 138000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SGB15N60HSATMA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3Pin2+Tab TO-263