硅光电晶体管 Silicon Phototransistor
880nm 顶视图 径向
得捷:
SENSOR PHOTO 880NM TOP VIEW RAD
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
Verical:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
儒卓力:
**PHOTOTRANSISTOR 20DEG **
MASTER:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
Powell:
Sensors, Infrared Sensors, Emitter
Online Components:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
Electro Sonic:
Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1
上升/下降时间 15000 ns
波长 880 nm
视角 20°
峰值波长 935 nm
耗散功率 70 mW
上升时间 15000 ns
击穿电压集电极-发射极 30 V
额定功率Max 70 mW
下降时间 15 µs
下降时间Max 15000 ns
上升时间Max 15000 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 70 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 3.94 mm
宽度 3.94 mm
高度 6.35 mm
封装 T-1
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541407080