SPI11N60CFDHKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPI11N60CFDHKSA1概述

TO-262 N-CH 600V 11A

N-Channel 650V 11A Tc 125W Tc Through Hole PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

SPI11N60CFDHKSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3-1

外形尺寸

封装 TO-262-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPI11N60CFDHKSA1

型号： SPI11N60CFDHKSA1

描述：TO-262 N-CH 600V 11A

替代型号SPI11N60CFDHKSA1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SPI11N60CFDHKSA1 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPI65R420CFD 英飞凌	功能相似	SPI11N60CFDHKSA1和IPI65R420CFD的区别
SPI11N60CFD 英飞凌	功能相似	SPI11N60CFDHKSA1和SPI11N60CFD的区别
IPI65R420CFDXKSA1 英飞凌	功能相似	SPI11N60CFDHKSA1和IPI65R420CFDXKSA1的区别