STS30N3LLH6

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STS30N3LLH6概述

N-channel 30V, 0.0016Ω; , 30A, SO-8 STripFETTM; VI DeepGATETM; Power MOSFET

N-Channel 30V 30A Tc 2.7W Tc Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO


贸泽:
MOSFET N-channel 30 V 30 A SO-8 STripFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SO N T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC


STS30N3LLH6中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.7W Tc

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 4040pF @25VVds

额定功率Max 2.7 W

下降时间 46 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STS30N3LLH6
描述:N-channel 30V, 0.0016Ω; , 30A, SO-8 STripFETTM; VI DeepGATETM; Power MOSFET

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