SD5491-002

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SD5491-002中文资料参数规格
技术参数

峰值波长 935 nm

耗散功率 150 mW

下降时间Max 2000 ns

上升时间Max 2000 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

高度 5.97 mm

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

海关信息

HTS代码 8541407080

数据手册

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型号: SD5491-002
描述:Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3Pin TO-18

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