SPP20N60S5XKSA1概述
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Summary of Features:
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- Innovative high voltage technology
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- Worldwide best R DSon in TO-251 and TO-252
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- Ultra low gate charge
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- Periodic avalanche rated
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- Extreme dv/dt rated
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- Ultra low effective capacitances
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- Improved transconductance
SPP20N60S5XKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 208 W
输入电容 3000 pF
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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