Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
SPP11N65C3 - 650V-700V COOLMOS N
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 125W; PG-TO220-3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 380 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 33000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free