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SPP21N50C3HKSA1概述

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3HKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3HKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装

得捷:
MOSFET N-CH 560V 21A TO220-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

SPP21N50C3HKSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 208W Tc

漏源极电压Vds 560 V

连续漏极电流Ids 21A

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SPP21N50C3HKSA1

描述：Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3HKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装