STB40N20参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB40N20概述

N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

表面贴装型 N 通道 40A（Tc） 160W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

STB40N20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 40.0 A

漏源极电阻 38.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 160W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 44 ns

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB40N20

型号： STB40N20

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

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替代型号STB40N20

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