N沟道500V - 0.15ヘ - 18A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.15ヘ - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
N-Channel 500V 18A Tc 30W Tc Through Hole TO-220FP
得捷:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Win Source:
N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
额定电压DC 500 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
输入电容 1.95 nF
栅电荷 65.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1950pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99