SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3图片1
SQM120P06-07L_GE3图片2
SQM120P06-07L_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0056 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 375 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SQM120P06-07L_GE3
型号: SQM120P06-07L_GE3
描述:VISHAY SQM120P06-07L_GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -120A, -60V, 0.0056Ω, -10V, -2V New

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台