STB230NH03L

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STB230NH03L概述

N沟道30V - 80A - D2PAK的STripFET ?功率MOSFET N-channel 30V - 80A - D2PAK STripFET? Power MOSFET

表面贴装型 N 通道 30 V 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STB230NH03L power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 300000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK


STB230NH03L中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 322 ns

输入电容Ciss 4700pF @10VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 102 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB230NH03L
型号: STB230NH03L
描述:N沟道30V - 80A - D2PAK的STripFET ?功率MOSFET N-channel 30V - 80A - D2PAK STripFET? Power MOSFET

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