STPSC806D

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STPSC806D概述

SiC 肖特基二极管,STMicroelectronics碳化硅 SiC 二极管是超高性能功率肖特基二极管。 关闭时不显示恢复,且圆环图案可忽略。 最小电容性关闭行为与温度无关。### 二极管和整流器,STMicroelectronics

碳化硅 SiC 肖特基,STMicroelectronics

碳化硅 SiC 二极管是一个超高性能功率肖特基整流器。

• 无或可忽略的反向恢复

• 切换行为不受温度影响

• 专用于 PFC 应用

• 高正向浪涌能力

### 二极管和整流器,STMicroelectronics


得捷:
DIODE SIL CARB 600V 8A TO220AC


欧时:
### 碳化硅 SiC 肖特基二极管,STMicroelectronics碳化硅 SiC 二极管是超高性能功率肖特基二极管。 关闭时不显示恢复,且圆环图案可忽略。 最小电容性关闭行为与温度无关。### 二极管和整流器,STMicroelectronics


e络盟:
碳化硅肖特基二极管, 600V系列, 单, 600 V, 8 A, 10 nC, TO-220AC


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


安富利:
Diode Schottky 600V 8A 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


富昌:
DO 220


Chip1Stop:
Diode Schottky 600V 8A 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8A; TO220AC


Verical:
Rectifier Diode Schottky 600V 8A 2-Pin2+Tab TO-220AC Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STPSC806D  Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 600V Series, Single, 600 V, 8 A, 10 nC, TO-220AC


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220AC


STPSC806D中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @8A

热阻 2.4℃/W RθJC

反向恢复时间 0 ns

正向电流 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 120 A

正向电压Max 2.1 V

正向电流Max 8 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STPSC806D
型号: STPSC806D
描述:SiC 肖特基二极管,STMicroelectronics 碳化硅 SiC 二极管是超高性能功率肖特基二极管。 关闭时不显示恢复,且圆环图案可忽略。 最小电容性关闭行为与温度无关。 ### 二极管和整流器,STMicroelectronics
替代型号STPSC806D
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