STW23NM60ND

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STW23NM60ND概述

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW23NM60ND, 19.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


力源芯城:
600V,19.5A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-247


Win Source:
N-channel 600 V - 0.150 Ω - 20 A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 FDmesh II Power MOSFET


STW23NM60ND中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 150W Tc

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 2050pF @50VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 42 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STW23NM60ND
型号: STW23NM60ND
描述:N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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