STP12NM50N参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP12NM50N概述

N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP

N-Channel 500V 11A Tc 100W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

贸泽:
MOSFET N-Ch 550 V 0.30 Ohm 12 A MDmesh

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
N-channel 500V - 0.29Ω - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET

STP12NM50N中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 11.0 A

漏源极电阻 290 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

输入电容 880 pF

栅电荷 30.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 15 ns

隔离电压 2.50 kV

输入电容Ciss 940pF @50VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP12NM50N

型号： STP12NM50N

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP

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