INFINEON SPP20N60C3HKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60C3HKSA1, 20.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin3+Tab TO-220
富昌:
650V, 20.7A, 0.19OHM, TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.7A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3-1
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.25 mm
封装 TO-220-3-1
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPP20N60C3HKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPP20N60C3XKSA1 英飞凌 | 功能相似 | SPP20N60C3HKSA1和SPP20N60C3XKSA1的区别 |
SIHP22N60E-GE3 威世 | 功能相似 | SPP20N60C3HKSA1和SIHP22N60E-GE3的区别 |