N沟道500V - 0.15ヘ - 18A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.15ヘ - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
N-Channel 500V 18A Tc 140W Tc Through Hole TO-247-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
N-CHANNEL 500V - 0.15ohm - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
额定电压DC 500 V
额定电流 18.0 A
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 140W Tc
输入电容 1.95 nF
栅电荷 65.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1950pF @25VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STW21NM50N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STW16NM50N 意法半导体 | 类似代替 | STW21NM50N和STW16NM50N的区别 |