STMICROELECTRONICS STPSC10H065B-TR 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-252
碳化硅肖特基 650 V 10A 表面贴装型 DPAK
得捷:
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
贸泽:
肖特基二极管与整流器 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK
e络盟:
碳化硅肖特基二极管, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-252
艾睿:
Diode Schottky 650V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Diode Schottky 650V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STPSC10H065 Series 650 V 10 A Power Schottky Silicon Carbide Diode -TO-252
Chip1Stop:
Diode Schottky 650V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STPSC10H065B-TR Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 650V Series, Single, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-252
正向电压 1.75V @10A
反向恢复时间 0 ns
正向电流 10 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 470 A
正向电压Max 1.75V @10A
正向电流Max 10 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
工作结温Max 175 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STPSC10H065B-TR ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STPSC10H065D 意法半导体 | 功能相似 | STPSC10H065B-TR和STPSC10H065D的区别 |
STPSC10H065G-TR 意法半导体 | 功能相似 | STPSC10H065B-TR和STPSC10H065G-TR的区别 |