40V,120A,N沟道MOSFET
N-Channel 40V 120A Tc 300W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
力源芯城:
40V,120A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 180 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP200N4F3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB200N4F3 意法半导体 | 功能相似 | STP200N4F3和STB200N4F3的区别 |