STI300N4F6

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STI300N4F6概述

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N CH 40V 160A I2PAK


欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STI300N4F6 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 300000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes stripfet vi technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 160A 3-Pin TO-262 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


STI300N4F6中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 98 ns

输入电容Ciss 13800pF @25VVds

下降时间 95 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.35 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI300N4F6
型号: STI300N4F6
描述:N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STI300N4F6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STI300N4F6

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

IPB160N04S4-02D

英飞凌

功能相似

STI300N4F6和IPB160N04S4-02D的区别

TK150F04K3

东芝

功能相似

STI300N4F6和TK150F04K3的区别

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