N沟道55 V ， 1.5毫欧， 250 A， PowerSO - 10的STripFET ™功率MOSFET N-channel 55 V, 1.5 mΩ, 250 A, PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET
N-Channel 55V 200A Tc 300W Tc Surface Mount 10-PowerSO
得捷:
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 12-Pin10+2Tab PowerSO T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STV250N55F3 MOSFET Transistor, N Channel, 250 A, 55 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
55V,200A,N沟道MOSFET
漏源极电阻 0.0015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 55 V
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 PowerSO-10
封装 PowerSO-10
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STV250N55F3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STV200N55F3 意法半导体 | 类似代替 | STV250N55F3和STV200N55F3的区别 |