VISHAY SUP90N10-8M8P-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 8.8 mohm, 10 V, 2.5 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary switch and power supply applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- -55 to 175°C Operating temperature range
e络盟:
VISHAY SUP90N10-8M8P-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 8.8 mohm, 10 V, 2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab D2PAK
儒卓力:
**N-CH 100V 90A 9mOhm TO220-3 **
针脚数 3
漏源极电阻 8.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
上升时间 17.0 ns
工作温度Max 175 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SUP90N10-8M8P-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SUP85N10-10-E3 威世 | 功能相似 | SUP90N10-8M8P-E3和SUP85N10-10-E3的区别 |