SKW30N60HSFKSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SKW30N60HSFKSA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube

IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole PG-TO247-3

得捷:
IGBT 600V 41A 250W TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin3+Tab TO-247

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
IGBT 600V 41A 250W TO247-3

SKW30N60HSFKSA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 125 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SKW30N60HSFKSA1

型号： SKW30N60HSFKSA1

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube