STB30NM50N

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STB30NM50N概述

D2PAK N-CH 500V 27A

Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the power MOSFET. Its maximum power dissipation is 190000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

STB30NM50N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 27A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 2740pF @50VVds

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: STB30NM50N
描述:D2PAK N-CH 500V 27A

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