SIHF30N60E-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SIHF30N60E-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.104 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 37 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 2600pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 37 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.63 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.12 mm

封装 TO-220

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SIHF30N60E-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

替代型号SIHF30N60E-E3

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