STW34NB20参数规格_中文资料_数据手册PDF

STW34NB20概述

N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

通孔 N 通道 34A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3

得捷:
MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: unipolar, N-MOSFET; 200V; 34A; 180W; TO247

STW34NB20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 34.0 A

额定功率 180 W

通道数 1

漏源极电阻 75.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 180W Tc

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 34.0 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 3300pF @25VVds

额定功率Max 180 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

STW34NB20引脚图与封装图

在线购买STW34NB20

型号： STW34NB20

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

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替代型号STW34NB20

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