INFINEON SPW24N60C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24.3 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW24N60C3FKSA1, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3
立创商城:
N沟道 650V 24.3A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 24.3A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 24.3 A, 650 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
额定电压DC 650 V
额定电流 24.3 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 240 W
阈值电压 3 V
输入电容 3.00 nF
栅电荷 135 nC
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 24.3 A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 240 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
长度 16.03 mm
宽度 5.16 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Consumer Electronics, Power Management, 通信与网络, 消费电子产品, Communications & Networking, Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPW24N60C3FKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHG24N65E-GE3 威世 | 功能相似 | SPW24N60C3FKSA1和SIHG24N65E-GE3的区别 |
SIHG24N65E-E3 威世 | 功能相似 | SPW24N60C3FKSA1和SIHG24N65E-E3的区别 |