STB185N55F3参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB185N55F3概述

N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET

表面贴装型 N 通道 55 V 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

贸泽:
MOSFET N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

力源芯城:
55V,120A,N沟道MOSFET

DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK

STB185N55F3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.0029 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 6800pF @25VVds

额定功率Max 330 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STB185N55F3

型号： STB185N55F3

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET

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