STI25NM60ND参数规格_中文资料_数据手册PDF

STI25NM60ND概述

N沟道600 V ， 0.13 Ω ，21是FDmesh ？二功率MOSFET D2PAK ， I2PAK ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247 N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

N-Channel 600V 21A Tc 160W Tc Through Hole I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

贸泽:
MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

STI25NM60ND中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 160 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 160 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2400pF @50VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.95 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI25NM60ND

型号： STI25NM60ND

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道600 V ， 0.13 Ω ，21是FDmesh ？二功率MOSFET D2PAK ， I2PAK ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247 N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

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替代型号STI25NM60ND

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