SGL160N60UFDTU

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SGL160N60UFDTU概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SGL160N60UFDTU..  晶体管, IGBT, 超快, 600V, 160A, TO-264

分离式 IGBT, Semiconductor

### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


欧时:
Fairchild Semiconductor SGL160N60UFDTU N沟道 IGBT, Vce=600 V, 160 A, 3引脚 TO-264封装


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SGL160N60UFDTU..  晶体管, IGBT, 超快, 600V, 160A, TO-264


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail


Jameco:
600V/80A/2.0V DIODES


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail


富昌:
SGL160N60UFD系列 600 V 160 A 法兰安装 超快 IGBT -TO-264


TME:
Transistor: IGBT; 600V; 80A; 100W; TO264


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SGL160N60UFDTU  IGBT Single Transistor, 160 A, 2.6 V, 250 W, 600 V, TO-264, 3 Pins


DeviceMart:
IGBT ULTRA FAST 600V 160A TO264


SGL160N60UFDTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 80.0 A

针脚数 3

耗散功率 250 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 95 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-264-3

外形尺寸

长度 20 mm

宽度 5 mm

高度 26 mm

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SGL160N60UFDTU
型号: SGL160N60UFDTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SGL160N60UFDTU..  晶体管, IGBT, 超快, 600V, 160A, TO-264

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