SM5S30AHE3/2D参数规格_中文资料_数据手册PDF

SM5S30AHE3/2D概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM5S30AHE3_A/I

48.4V Clamp 74A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-218AB

得捷:
TVS DIODE 30V 48.4V DO218AB

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM5S30AHE3_A/I

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 30V 3.6KW Automotive 2-Pin DO-218AB T/R

安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 30V 3.6KW 2-Pin DO-218AB T/R

富昌:
SM5S 系列 30 V 单向瞬态电压抑制二极管 - DO-218AB

Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 30V 3.6KW 2-Pin DO-218AB T/R

SM5S30AHE3/2D中文资料参数规格

技术参数

工作电压 30 V

击穿电压 33.3 V

电路数 1

钳位电压 48.4 V

测试电流 5 mA

脉冲峰值功率 3600 W

最小反向击穿电压 33.3 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-218AB-2

外形尺寸

长度 13.7 mm

封装 DO-218AB-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SM5S30AHE3/2D

型号： SM5S30AHE3/2D

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM5S30AHE3_A/I

替代型号SM5S30AHE3/2D

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SM5S30AHE3/2D Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SM5S30A-E3/2D 威世	完全替代	SM5S30AHE3/2D和SM5S30A-E3/2D的区别
SM5S30A-TP 美微科	类似代替	SM5S30AHE3/2D和SM5S30A-TP的区别
SM6S30AHE3/2D 威世	功能相似	SM5S30AHE3/2D和SM6S30AHE3/2D的区别