SM5S30HE3/2D参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SM5S30HE3/2D图片1

SM5S30HE3/2D图片2

SM5S30HE3/2D图片3

SM5S30HE3/2D中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 33.3 V

耗散功率 3.6 kW

钳位电压 53.5 V

脉冲峰值功率 3600 W

最小反向击穿电压 33.3 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-218AB

外形尺寸

封装 DO-218AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SM5S30HE3/2D

型号： SM5S30HE3/2D

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 30V 3.6kW 2Pin DO-218AB T/R

替代型号SM5S30HE3/2D

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SM5S30HE3/2D

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SM5S30-E3/2D

威世

完全替代

SM5S30HE3/2D和SM5S30-E3/2D的区别