SD12C.TCT

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SD12C.TCT概述

12V单线ESD双向保护

极性Polarization| 单向 Unidirectional

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反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 12V

反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 13.3V

峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 350W

峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 15A

额定耗散功率PdPower dissipation|

Description & Applications| Features • Single Line TVS Diode for ESD Protection in Portable Electronics • 350 Watts peak pulse power tp = 8/20µs • Transient protection for data lines to IEC 61000-4-2 ESD ±25kV air, ±10kV contact IEC 61000-4-4 EFT 40A 5/50ns IEC 61000-4-5 Lightning 24A 8/20µs • Small package for use in portable electronics • Suitable replacement for MLV’s in ESD protection applications • Protects one I/O or power line • Low clamping voltage • Working voltages: 5V and 12V • Low leakage current • Solid-state silicon-avalanche technology

描述与应用| 特点 • 单线TVS的ESD保护便携式电子产品 • 350瓦峰值脉冲功率(TP =8/20μS) • 瞬态保护的数据线 IEC61000-4-2(ESD)±25kV的(空气),±10kV的(接触) IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(闪电)24A(8/20μS) • 小型封装中使用的便携式电子产品 • 合适的替代MLV ESD保护 应用程序 • 保护一个I / O或电源线 • 低钳位电压 • 工作电压:5V和12V • 低漏电流 • 固态硅雪崩技术

SD12C.TCT中文资料参数规格
技术参数

电容 100 pF

额定功率 350 W

击穿电压 13.3 V

耗散功率 350 W

钳位电压 24 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 350 W

最小反向击穿电压 13.3 V

击穿电压 13.3 V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOD-323

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SD12C.TCT
型号: SD12C.TCT
制造商: Semtech Corporation
描述:12V单线ESD双向保护
替代型号SD12C.TCT
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Semtech Corporation

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