STBV42D参数规格_中文资料_数据手册PDF

STBV42D概述

STBV42D 系列 400 V 1 A NPN 高压快速开关功率晶体管-TO-92

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1A 1W Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 400V 1A TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 700V Vces 400Vceo 9Vebo 1A

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-92 Bag

STBV42D中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 10 @400mA, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STBV42D

型号： STBV42D

描述：STBV42D 系列 400 V 1 A NPN 高压快速开关功率晶体管-TO-92

替代型号STBV42D

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STBV42D ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STBV42 意法半导体	完全替代	STBV42D和STBV42的区别
STBV42-AP 意法半导体	类似代替	STBV42D和STBV42-AP的区别
STBV42G 意法半导体	类似代替	STBV42D和STBV42G的区别