STBV32G-AP参数规格_中文资料_数据手册PDF

STBV32G-AP概述

TO-92 NPN 400V 1.5A

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1.5A 1.5W Through Hole TO-92AP

得捷:
TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin TO-92 Ammo

Win Source:
TRANS NPN 400V 1.5A TO92AP / Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 1.5 A 1.5 W Through Hole TO-92AP

STBV32G-AP中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 1.5A

最小电流放大倍数hFE 5 @1A, 2V

额定功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STBV32G-AP

型号： STBV32G-AP

描述：TO-92 NPN 400V 1.5A

替代型号STBV32G-AP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STBV32G-AP ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STBV32-AP 意法半导体	完全替代	STBV32G-AP和STBV32-AP的区别
STBV32 意法半导体	类似代替	STBV32G-AP和STBV32的区别

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替代型号对比

STBV32G-AP

ST Microelectronics 意法半导体

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STBV32-AP

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意法半导体

类似代替