SDT06S60参数规格_中文资料_数据手册PDF

SDT06S60概述

碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

Diode Silicon Carbide Schottky 600V 6A DC Through Hole PG-TO220-2-2

得捷:
DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2

艾睿:
Diode Schottky 600V 6A 2-Pin2+Tab TO-220

Win Source:
Silicon Carbide Schottky Diode

SDT06S60中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 6.00 A

正向电压 1.7V @6A

反向恢复时间 0 ns

正向电流 6 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 21.5 A

正向电压Max 1.7V @6A

正向电流Max 6 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 57600 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 Contains SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

数据手册

在线购买SDT06S60

型号： SDT06S60

描述：碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

替代型号SDT06S60