SE5230DR2

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SE5230DR2概述

低电压运算放大器 Low Voltage Operational Amplifier

通用 放大器 1 电路 满摆幅 8-SOIC


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC / General Purpose Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC


SE5230DR2中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1.1 mA

电路数 1

增益频宽积 600 kHz

输入补偿电压 400 µV

输入偏置电流 40 nA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SE5230DR2引脚图与封装图
SE5230DR2引脚图
SE5230DR2封装图
SE5230DR2封装焊盘图
在线购买SE5230DR2
型号: SE5230DR2
描述:低电压运算放大器 Low Voltage Operational Amplifier
替代型号SE5230DR2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SE5230DR2

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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NE5230DR2G

安森美

完全替代

SE5230DR2和NE5230DR2G的区别

SA5230DR2G

安森美

完全替代

SE5230DR2和SA5230DR2G的区别

SA5230DG

安森美

完全替代

SE5230DR2和SA5230DG的区别

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