碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode
Diode Silicon Carbide Schottky 600V 12A DC Through Hole PG-TO220-2-2
得捷:
DIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2
贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Diode 600V 12A
艾睿:
Diode Schottky 600V 12A 2-Pin2+Tab TO-220
Win Source:
DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2
额定电压DC 600 V
额定电流 12.0 A
电容 450 pF
输出电流 ≤12.0 A
正向电压 1.7V @12A
极性 Standard
反向恢复时间 0 ns
正向电流 12 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 36 A
正向电压Max 1.7V @12A
正向电流Max 12 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 88200 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
长度 9.9 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.2 mm
封装 TO-220-2
工作温度 55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 Contains SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SDT12S60 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IDH10S120 英飞凌 | 类似代替 | SDT12S60和IDH10S120的区别 |
IDH10S60C 英飞凌 | 类似代替 | SDT12S60和IDH10S60C的区别 |
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