碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode
碳化硅肖特基 600 V 4A（DC） 通孔 PG-TO220-2-2
得捷:
DIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2
贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Diode 600V 4A
艾睿:
Diode Schottky 600V 4A 2-Pin2+Tab TO-220
Win Source:
Silicon Carbide Schottky Diode
额定电压DC 600 V
额定电流 4.00 A
正向电压 1.9V @4A
反向恢复时间 0 ns
正向电流 4 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 12.5 A
正向电压Max 1.9V @4A
正向电流Max 4 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 175 ℃
耗散功率Max 36500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
长度 9.9 mm
宽度 4.4 mm
高度 9.2 mm
封装 TO-220-2
工作温度 55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 Contains SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SDT04S60 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IDH15S120 英飞凌 | 类似代替 | SDT04S60和IDH15S120的区别 |
IDH03G65C5 英飞凌 | 类似代替 | SDT04S60和IDH03G65C5的区别 |
IDH04S60CAKSA1 英飞凌 | 类似代替 | SDT04S60和IDH04S60CAKSA1的区别 |