SDP20S30参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SDP20S30概述

碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode

阵列 1 对共阴极碳化硅肖特基 300 V 10A（DC）通孔 TO-220-3

得捷:
DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V TO220

艾睿:
Diode Schottky 300V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB

Win Source:
Silicon Carbide Schottky Diode

SDP20S30中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 10.0 A

正向电压 1.7V @10A

反向恢复时间 0 ns

最大正向浪涌电流（Ifsm） 36 A

正向电压Max 1.7V @10A

正向电流Max 10 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SDP20S30

制造商： Infineon 英飞凌

描述：碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode