SI8422AD-B-IS

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SI8422AD-B-IS概述

Si84x 系列数字隔离器### 数字隔离器,硅实验室Silicon Labs 广泛的数字隔离产品提供优于老式隔离技术(如光耦合器)的显著改进。 它们具有低功耗、更佳的可靠性和更高的性能,通常尺寸更小且成本更低。这些基于 CMOS 的设备在宽温度范围具有稳定的工作特性,且不受光耦合设备的寿命限制。

Si84x 系列数字隔离器

CMOS 数字隔离器能够创建小尺寸、高性能、低功耗且可靠的隔离电路,可与光耦合器设计相媲美。

高速

高效

正向和反向通道

高电磁抗扰性

### 数字隔离器,硅实验室

广泛的数字隔离产品提供优于老式隔离技术(如光耦合器)的显著改进。 它们具有低功耗、更佳的可靠性和更高的性能,通常尺寸更小且成本更低。这些基于 CMOS 的设备在宽温度范围具有稳定的工作特性,且不受光耦合设备的寿命限制。


欧时:
### Si84x 系列数字隔离器### 数字隔离器,硅实验室Silicon Labs 广泛的数字隔离产品提供优于老式隔离技术(如光耦合器)的显著改进。 它们具有低功耗、更佳的可靠性和更高的性能,通常尺寸更小且成本更低。这些基于 CMOS 的设备在宽温度范围具有稳定的工作特性,且不受光耦合设备的寿命限制。


e络盟:
数字隔离器, 2通道, 35 ns, 2.7 V, 5.5 V, WSOIC, 16 引脚


艾睿:
Digital Isolator CMOS 2-CH 1Mbps 8-Pin SOIC


安富利:
OptoCoupler 2-CH 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
Digital Isolator Logic 1-CH 1Mbps 8-Pin SOIC


SI8422AD-B-IS中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 2 ns

通道数 2

针脚数 16

耗散功率 150 mW

数据速率 1.00 Mbps

上升时间 4 ns

隔离电压 5000 Vrms

输入电流Min 5.6 mA

正向电压Max 5.5 V

下降时间Max 4 ns

上升时间Max 4 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 150 mW

电源电压 2.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 SOIC-16

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 7.5 mm

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SI8422AD-B-IS引脚图与封装图
SI8422AD-B-IS引脚图
SI8422AD-B-IS封装图
SI8422AD-B-IS封装焊盘图
在线购买SI8422AD-B-IS
型号: SI8422AD-B-IS
描述:Si84x 系列数字隔离器 ### 数字隔离器,硅实验室 Silicon Labs 广泛的数字隔离产品提供优于老式隔离技术(如光耦合器)的显著改进。 它们具有低功耗、更佳的可靠性和更高的性能,通常尺寸更小且成本更低。这些基于 CMOS 的设备在宽温度范围具有稳定的工作特性,且不受光耦合设备的寿命限制。
替代型号SI8422AD-B-IS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI8422AD-B-IS

Silicon Labs 芯科

当前型号

当前型号

SI8422AD-D-IS

芯科

完全替代

SI8422AD-B-IS和SI8422AD-D-IS的区别

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亚德诺

功能相似

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